کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691633 | 1011324 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
rf-Magnetron sputter deposited ZrO2 dielectrics for metal–insulator–semiconductor capacitors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: rf-Magnetron sputter deposited ZrO2 dielectrics for metal–insulator–semiconductor capacitors rf-Magnetron sputter deposited ZrO2 dielectrics for metal–insulator–semiconductor capacitors](/preview/png/1691633.png)
چکیده انگلیسی
ZrO2 gate dielectric thin films were deposited by radio frequency (rf)-magnetron sputtering, and its structure, surface morphology and electrical properties were studied. As the oxygen flow rate increases, the surface becomes smoother. The experimental results indicate that a high temperature annealing is desirable since it improves the electrical properties of the ZrO2 gate dielectric thin films by decreasing the number of interfacial traps at the ZrO2/Si interface. The carrier transport mechanism is dominated by the thermionic emission.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 12, 8 August 2008, Pages 1367–1370
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 12, 8 August 2008, Pages 1367–1370
نویسندگان
K. Prabakar, Anna Park, Namhee Cho, Wan In Lee, Chang Kwon Hwangbo, Jae Gab Lee, Chongmu Lee,