کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691670 | 1011324 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A growth rate, structure and surface morphology study of Si1-x-yGexCy films deposited by ArF-LCVD in tilted geometry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
For pure Ge, some more studies have been performed due to the tendency of these films to show significant changes, especially in growth rate and roughness, both when the laser irradiated the samples and when temperature, pressure and laser power were varied.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 12, 8 August 2008, Pages 1525-1528
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 12, 8 August 2008, Pages 1525-1528
نویسندگان
E. López, S. Chiussi, U. Kosch, P. González, J. Serra, C. Serra, B. León,