کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691764 | 1011330 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of H2O partial pressure on the crystallinity of ZnO thin film and electrical characteristics of film bulk acoustic wave resonators
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have improved electrical characteristics of a film bulk acoustic wave (BAW) resonator that features the injection of H2O gas into a process chamber. The preferred crystallinity of piezoelectric ZnO film was obtained by RF sputtering at a high H2O partial pressure 1.5Ã10â4Â Pa. The effective electromechanical coupling coefficient (kteff2) of the BAW resonator remarkably goes up from 1.8% to 4.7% for which the corresponding H2O partial pressures are 2.7Ã10â5 and 1.5Ã10â4Â Pa. Injection of H2O during the deposition process contributes to the improvement of crystallinity of ZnO thin film and the electrical characteristics of the BAW resonator.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 80, Issue 7, 31 May 2006, Pages 814-817
Journal: Vacuum - Volume 80, Issue 7, 31 May 2006, Pages 814-817
نویسندگان
H. Yamada, Y. Ushimi, H. Kawamura, M. Takeuchi, Y. Yoshino, T. Makino,