کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1784452 | 1524122 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Cooled P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP double heterostructure photodiodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Cooled P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP double heterostructure photodiodes Cooled P-InAsSbP/n-InAs/N-InAsSbP double heterostructure photodiodes](/preview/png/1784452.png)
چکیده انگلیسی
Double heterostructure (DH) photodiodes (PDs) with InAs active layer and back-side illumination have been studied in the 100-300Â K temperature range. Temperature dependence of a spectral response was standard for InAs based PDs while saturation current (or zero bias resistance) was characterized by a single value of the activation energy with domination of a diffusion current at most temperatures. As a result the simulated detectivity value was beyond the known numbers for homo- and heterojunction InAs PDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 64, May 2014, Pages 62-65
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 64, May 2014, Pages 62-65
نویسندگان
P.N. Brunkov, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova,