کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1784607 | 1023267 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling and simulation of long-wave infrared InAs/GaSb strained layer superlattice photodiodes with different passivants
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Silvaco ATLAS used to simulate differently passivated superlattice photodiodes. ⺠Choice of models and parameters are elaborated. ⺠Surface parameters extracted fitting simulated results to experimental data. ⺠Relevancy of the simulation tool and that of the results are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 54, Issue 6, November 2011, Pages 460-464
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 54, Issue 6, November 2011, Pages 460-464
نویسندگان
Koushik Banerjee, Jun Huang, Siddhartha Ghosh,