کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1785210 | 1023306 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Probing dopant incorporation in InAs/GaAs QDIPs by polarization-dependent Fourier transform infrared spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In order to improve spectral response tunability of quantum-dot infrared photodetectors (QDIPs), it is critical to understand how dopants are incorporated into quantum dots (QDs). In this letter, polarization-dependent Fourier transform infrared spectroscopy is used to measure intraband absorption in InAs/GaAs QDs. Through the investigation of device heterostructures with varying modulation-doped carrier concentrations, we have correlated the charge filling process of energy levels in high-density QD ensembles with IR absorbance spectra. In addition, we have observed the IR signature of a transition originating in deep-level defect centers arising from Si-doped GaAs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 51, Issue 2, October 2007, Pages 131–135
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 51, Issue 2, October 2007, Pages 131–135
نویسندگان
Z.Y. Zhao, C. Yi, A.D. Stiff-Roberts, A.J. Hoffman, D. Wasserman, C. Gmachl,