کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1785638 | 1023388 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimization and improvement of TIPS-pentacene transistors (OTFT) with UV-ozone and chemical treatments using an all-step solution process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We fabricated an organic thin-film transistor (OTFT) using an all-step solution process. The printed layers, in which the electrode (silver), dielectric layer (BaTiO3-PMMA), source-drain layer, and semiconductor 6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene(TIPS-pentacene), were optimized using roll-to-roll, an inkjet printer, and drop-casting. After coating the source-drain layer, we applied ultraviolet (UV)-ozone and self-assembled monolayer (SAM) treatments to the composite layer. The OTFTs treated with the UV-ozone and SAM treatments were found to exhibit excellent performance and good properties in comparison to silicon-based OTFTs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 15, Issue 10, October 2015, Pages 1238-1244
Journal: Current Applied Physics - Volume 15, Issue 10, October 2015, Pages 1238-1244
نویسندگان
Jaemin Kim, Jiyoup Kim, Byoungjoon Ahn, Tomi Hassinen, Younsu Jung, Sunglim Ko,