Quantum valley Hall state in gas molecule-adsorbed bilayer graphene

در حالیکه انواع مختلف فازهای عایق ناپایدار از لحاظ توپولوژیکی پیشبینی شده است که در اثر متقابل الکترونها و الکترونها و اسپین-مدار در گرافن دوتایی رخ می دهد، انحراف لبه های رسانایی و ولنس به ساختار باند (نیمه) فلزی منجر می شود. اختلاف پتانسیل الکترواستاتیک بین دو لایه به دلیل میدان الکتریکی خارجی شناخته شده است که یک گجت باند را باز می کند، که منجر به حالت مقطع عایق نشده می شود. یک باند گازی نیز ممکن است از مولکول های گاز جذب شده بر روی گرافن دو لایه بوجود آید، که یک فاز عایق کننده از لحاظ توپولوژیک غیرطبیعی است. در اینجا، محاسبات تئوری عملکرد چگالی ما نشان می دهد که مولکول های گاز جذب دوگانه گرافن یک عایق کالیبره ای است. بنابراین جذب مولکول های اهدا کننده (یا گیرنده) ضعیف با لحظه ای بزرگ الکتریکی دو قطبی می تواند برای تحقق یک فاکتور عایق کننده توپولوژیک غیر گرانشی در گرافن دو لایه حتی بدون میدان الکتریکی خارجی باشد.