کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1785976 | 1023401 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence of porous silicon coated by SILD method with LaF3 nanolayers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The method of lanthanum fluoride passivating layer synthesis in the matrix of porous silicon by successive ionic layer deposition was elaborated and optimized. Luminescence and FTIR of obtained structures demonstrate the crucial role of the chemical composition of silicon nanocrystallite surface in the formation of radiative recombination channels and in the stability of porous silicon photoluminescence. The combination of high optical transparency of LaF3 layers and low recombination losses in silicon covered with such layers allows to recommend the lanthanum fluoride film as an effective passivating coating for silicon optoelectronics devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 13, Issue 8, October 2013, Pages 1625-1629
Journal: Current Applied Physics - Volume 13, Issue 8, October 2013, Pages 1625-1629
نویسندگان
Y.S. Milovanov, V.A. Skryshevsky, V.P. Tolstoy, L.B. Gulina, I.V. Gavrilchenko, G.V. Kuznetsov,