کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1786096 | 1023405 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhanced ferromagnetism by preventing antiferromagnetic MnO2 in InP:Be/Mn/InP:Be triple layers fabricated using molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Enhanced ferromagnetism by preventing antiferromagnetic MnO2 in InP:Be/Mn/InP:Be triple layers fabricated using molecular beam epitaxy Enhanced ferromagnetism by preventing antiferromagnetic MnO2 in InP:Be/Mn/InP:Be triple layers fabricated using molecular beam epitaxy](/preview/png/1786096.png)
چکیده انگلیسی
The p-type InP:Be/Mn/InMnP:Be triple epilayers were prepared using MBE to increase Tc (>300Â K) by preventing MnO2. After milling 1-3Â nm of epilayers thickness from the top surface, the transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction (XRD) revealed no MnO2 and precipitates, and TEM and XRD results coincide with results of ferromagnetism. The enhanced ferromagnetic transition at >300Â K corresponds to InMnP:Be. The increased ferromagnetic coupling without MnO2 is considered to originate from the increased p-d hybridation. These results demonstrate that InP-based ferromagnetic semiconductor layers having enhanced ferromagnetism can be formed by above process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 14, Issue 4, April 2014, Pages 558-562
Journal: Current Applied Physics - Volume 14, Issue 4, April 2014, Pages 558-562
نویسندگان
D.J. Lee, C.S. Park, Cheol Jin Lee, J.D. Song, H.C. Koo, Chong S. Yoon, Im Taek Yoon, H.S. Kim, T.W. Kang, Yoon Shon,