کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1786568 | 1023418 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room-temperature ferromagnetism of Cu ion-implanted Ga-doped ZnO
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Room-temperature ferromagnetism of Cu ion-implanted Ga-doped ZnO Room-temperature ferromagnetism of Cu ion-implanted Ga-doped ZnO](/preview/png/1786568.png)
چکیده انگلیسی
⺠Cu ions were implanted into un-doped ZnO and Ga-doped ZnO films. ⺠Only Cu ion-implanted Ga-doped ZnO had ferromagnetism at room-temperature. ⺠A partial amount of implanted Cu existed as Cu2+ (d9) states in Ga-doped ZnO film. ⺠Almost all implanted Cu atoms existed as Cu1+ (d10) states in un-doped ZnO film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 12, Issue 3, May 2012, Pages 924-927
Journal: Current Applied Physics - Volume 12, Issue 3, May 2012, Pages 924-927
نویسندگان
Jong-Han Lee, Sangwon Shin, Keun Hwa Chae, Donghwan Kim, Jonghan Song,