کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1786568 1023418 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room-temperature ferromagnetism of Cu ion-implanted Ga-doped ZnO
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Room-temperature ferromagnetism of Cu ion-implanted Ga-doped ZnO
چکیده انگلیسی
► Cu ions were implanted into un-doped ZnO and Ga-doped ZnO films. ► Only Cu ion-implanted Ga-doped ZnO had ferromagnetism at room-temperature. ► A partial amount of implanted Cu existed as Cu2+ (d9) states in Ga-doped ZnO film. ► Almost all implanted Cu atoms existed as Cu1+ (d10) states in un-doped ZnO film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 12, Issue 3, May 2012, Pages 924-927
نویسندگان
, , , , ,