کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1786669 | 1023421 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hole doping effect on ferromagnetism in Mn-doped ZnO nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigate the magnetic properties of Mn-doped ZnO nanowires (NWs) using the local spin density approximation (LSDA) and the LSDA+U approach, where U represents the on-site Coulomb interaction. In carrier-free (Zn,Mn)O NWs, the majority Mn ta states are fully occupied, leading to an antiferromagnetic ground state. We examine the effect of additional p-type doping on the ferromagnetism by considering surface O dangling bonds, Zn vacancies, and N impurities. For all cases, localized hole carriers are generated in the majority ta states and promote a ferromagnetic ordering via double exchange interactions, similar to the trend of bulk (Zn,Mn)O. The ferromagnetic coupling tends to increase with increasing of the hole carrier density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 11, Issue 2, March 2011, Pages 236–240
Journal: Current Applied Physics - Volume 11, Issue 2, March 2011, Pages 236–240
نویسندگان
N. Tsogbadrakh, Eun-Ae Choi, Woo-Jin Lee, K.J. Chang,