کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1786936 | 1023427 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of thermal parameter on solution-processed Zr-doped ZTO thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We fabricated thin-film transistors (TFTs) with a Zr-doped zinc tin oxide (ZZTO) channel layer by the sol–gel process. To obtain optimal process conditions, ZZTO TFT was fabricated as a function of annealing temperatures. The performance of the ZZTO TFTs fabricated at annealing temperatures lower than 500 °C, was poor. This could be attributed to the insufficient energy available for M-OH dehydroxylation and condensation of multi-component oxides. The linear mobility, subthreshold gate swing (S.S), threshold voltage, and on-to-off current ratio of the ZZTO TFT annealed at 500 °C were 4.02 cm2 V−1 s−1, 0.94 V/decade, 3.13 V, and >106, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 11, Issue 1, Supplement, January 2011, Pages S258–S261
Journal: Current Applied Physics - Volume 11, Issue 1, Supplement, January 2011, Pages S258–S261
نویسندگان
You Seung Rim, Dong Lim Kim, Woong Hee Jeong, Si Joon Kim, Bo Sung Kim, Hyun Jae Kim,