کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1787323 | 1023438 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Exciton states in zinc-blende InGaN/GaN quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Within the framework of effective-mass approximation, exciton states confined in zinc-blende(ZB) InGaN/GaN quantum dot(QD) are investigated by means of a variational approach, considering finite band offsets. The ground-state exciton binding energy and the interband emission energy are investigated as functions of QD structural parameters in detail. Numerical results show clearly that both the QD size and In content of InGaN have a significant influence on the exciton states and interband optical transitions in the ZB InGaN/GaN QD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 8, Issue 2, March 2008, Pages 153–158
Journal: Current Applied Physics - Volume 8, Issue 2, March 2008, Pages 153–158
نویسندگان
Congxin Xia, Fengchn Jiang, Shuyi Wei,