کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1787594 | 1023447 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of additional VHF plasma source base on conventional RF-PECVD for large area fast growth microcrystalline silicon films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) thin films were deposited at a high rate of 1.6 nm/s by very high frequency (VHF, 146 MHz) assisted RF (13.56 MHz) plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) from a different silane concentration. The effects of the additional high excitation frequency plasma and silane concentration on the deposition rate and microstructure of films were investigated. The main reasons for the improved deposition rate and crystallinity of the μc-Si:H thin films were discussed in terms of plasma parameters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 11, Issue 5, Supplement, September 2011, Pages S54–S57
Journal: Current Applied Physics - Volume 11, Issue 5, Supplement, September 2011, Pages S54–S57
نویسندگان
Youn J. Kim, Yoon S. Choi, In S. Choi, Jeon G. Han,