کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1788003 | 1023457 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Si(0Â 0Â 1) surface optical anisotropies induced by Ï-conjugated overlayers and oxidation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
78.66.Qn78.68.+m - + 78.68 + متر9,10-Phenanthrenequinone - 9،10-PhenanthrenequinoneSilicon surface - سطح سیلیکونReflectance anisotropy spectroscopy - طیف سنجی آنیزوتروپ بازتابیReflectance difference spectroscopy - طیف سنجی تفاوت ReflectanceDensity functional theory - نظریه تابعی چگالیOrganic functionalization - کاربردی آلی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A density functional (DFT-GGA) study on the modification of the Si(0Â 0Â 1) surface optical response upon adsorption of 9,10-phenanthrenequinone and oxidation is presented. In the first case it is found that intramolecular Ï-Ï* transitions as well as adsorption-modified Si bulk states contribute to the optical signal. The molecular contributions differ strongly from the respective signals of gas-phase molecules, indicating the need for a cautious interpretation of experimental data. The calculations for oxidized Si structures show that local Si lattice deformations accompanying the oxidation of Si bulk bonds directly at the silicon-silicon oxide interface give rise to pronounced optical anisotropies that explain the experimental findings very well. In contrast, calculations for translationally invariant oxide structures fail to reproduce the experiment. This indicates the oxidation to occur layer-by-layer and strong disorder of the silicon oxide layers immediately above the interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 6, Issue 3, June 2006, Pages 525-530
Journal: Current Applied Physics - Volume 6, Issue 3, June 2006, Pages 525-530
نویسندگان
W.G. Schmidt, A. Hermann, F. Fuchs, F. Bechstedt,