کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1788305 | 1023465 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Vacancy defects in indium oxide: An ab-initio study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
First-principles density functional theory is employed to study the electrical behavior of oxygen and indium vacancies in indium oxide (In2O3). The oxygen vacancy is found to be a double donor. The indium vacancy is a triple acceptor, which >can be a compensation center in n-type In2O3, leading to n-type carrier reduction. However, its high formation energy under p-type conditions makes it unlikely to be a source of p-type carriers by itself.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 11, Issue 3, Supplement, May 2011, Pages S296–S300
Journal: Current Applied Physics - Volume 11, Issue 3, Supplement, May 2011, Pages S296–S300
نویسندگان
Pakpoom Reunchan, Xin Zhou, Sukit Limpijumnong, Anderson Janotti, Chris G. Van de Walle,