کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1788438 | 1524161 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of Er3+ doping in SnO2 semiconductor nanoparticles synthesized by solgel technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Pure and Er3+ doped SnO2 semiconductor nanoparticles have been synthesized by solgel technique. The X-ray diffraction patterns show peaks corresponding to tetragonal structure of SnO2. No Er related impurity peaks could be observed. From the TEM micrographs average crystallite size was estimated to be 12 nm. The UV–visible absorption spectra of SnO2:Er showed blue shift in the absorption shoulder compared with the spectra of undoped SnO2 sample. Photoluminescence emission intensity of SnO2:Er nanoparticles was found to be quenched with increasing concentration of Er3+ ions. The electron spin resonance (ESR) analysis of Er doped SnO2 nanoparticles indicated Er in 3 + state with g = 2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 6, November 2010, Pages 1383–1386
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 6, November 2010, Pages 1383–1386
نویسندگان
S. Sambasivam, Saes Byul Kim, Jung Hyun Jeong, Byung Chun Choi, Kwon Taek Lim, Sang Su Kim, Tae Kwon Song,