کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1788636 | 1023475 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Trapped carrier dynamics in dielectric nanodots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Trapped carrier dynamics has been studied on Si3N4Si3N4 nanodots grown by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and on SiO2 nanodots grown by pulsed laser deposition (PLD) on Si wafers. Carrier dynamics can be explained with a model based on Coulomb interaction with the boundary conditions of the nanodot structure. The trapped charge can be estimated quantitatively from the measured trap dynamics, elucidating the electrostatic effect in a small dielectric system.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 3, May 2010, Pages 957–961
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 3, May 2010, Pages 957–961
نویسندگان
H. Yang, H.-J. Shin, Y. Kuk,