کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1788748 | 1023478 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design and fabrication of InAs/GaAs quantum-dot resonant-cavity avalanche photodetectors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
InAs/GaAs quantum dot (QD) resonant-cavity avalanche photodetectors (RC-APD) operating at 1 μm were designed and fabricated. The structure of RC-APD was designed such that it would resonate with the light incident from the top mesa. The RC-APD was grown by solid-source molecular-beam epitaxy on a semi-insulating GaAs substrate. The area of the top mesa was 10 × 10 μm2 and the absorbing region consisted of a 2.1 monolayer (ML) InAs QD layer sandwiched by two 75.5 nm-thick GaAs spacers. One of the RC-APDs exhibited a large gain factor M ∼100 and a low dark current of ∼10 nA at a breakdown voltage of ∼20 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 6, Supplement 1, August 2006, Pages e172–e175
Journal: Current Applied Physics - Volume 6, Supplement 1, August 2006, Pages e172–e175
نویسندگان
Dong Ho Kim, Cheong Hyun Roh, Hong Joo Song, Yeon-Shik Choi, Cheol-Koo Hahn, Hoon Kim, Jung Hyuk Koh, Tae Geun Kim,