کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1788931 | 1023483 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on the doping mechanism and electronic structure for Nb5+ doping PbWO4 crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The existing forms of the impurity Nb5+ in the Nb5+:PbWO4 (PWO) crystals are simulated by computer technology. The possible various kinds of defects in the Nb5+:PWO crystals are also simulated. By analyzing the calculation results of defect formation energies and binding energies, the optimal substitution positions of the Nb5+ ions and the charge compensating mechanism [Nbw-+VO2++Nbw-] in the Nb5+:PWO crystals were obtained. The electronic structures for Nb5+:PWO were calculated with density functional theory code CASTEP. It shows that the doping of Nb5+ ions could suppress the 350Â nm absorption band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 1, January 2010, Pages 351-354
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 1, January 2010, Pages 351-354
نویسندگان
Teng Chen, Kaiyu Xu, Dongli Shi, Mingjie Wang, Tingyu Liu,