کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1788998 | 1023487 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonvolatile memory characteristics of small-molecule memory cells with electron-transport and hole-transport bilayers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigated the effect of small-molecule electron-transport (Alq3) and hole-transport (α-NPD) bilayers on the nonvolatile memory characteristics of small-molecule memory cells embedded with Ni nanocrystals. With increasing thickness of the hole-transport layer, the on-state current (Ion) and memory margin (Ion/Ioff ratio) decreased, the retention time decreased, and the standard deviation of Ion and Ioff during erase-and-program cycles increased. These results indicate that the N,N’-bis (1-naphthalene)-1,1’biphenyl4,4”diamine layer in small-molecule-bilayer memory cells behaves as an electron-transport layer rather a hole-transport layer and that the dominant carriers in those memory cells are electrons rather than holes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 1, Supplement, January 2010, Pages e37–e41
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 1, Supplement, January 2010, Pages e37–e41
نویسندگان
Woo-Sik Nam, Sung-Ho Seo, Kwang-Hee Park, Seok-Hoon Hong, Gon-Sub Lee, Jea-Gun Park,