کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1789070 | 1023490 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chalcogen-based thin film transistor using CuInSe2 photo-active layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We propose chalcogen-based photo-thin film transistor (P-TFT) using CuInSe2 (CIS) homo-junction. By using a tri-layer process, we fabricated n- and p-type CIS films. Optical and electrical properties of the fabricated CIS films are measured to be suitable for homo-junction. For the fabrication of a P-TFT, n-type CIS generating higher photo current was used for a channel layer whereas p-type CIS with higher carrier density was used for source and drain. The fabricated transistor exhibited typical transistor operation of p-channel enhancement mode and current increase with light.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 9, Issue 6, November 2009, Pages 1326–1329
Journal: Current Applied Physics - Volume 9, Issue 6, November 2009, Pages 1326–1329
نویسندگان
Kyung-Am Kim, Ki-Bong Song, JunHo Kim, Kyuman Cho,