کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1789295 | 1023500 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Field emission properties of indium-doped ZnO tetrapods
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Indium-doped ZnO (ZnO:In) tetrapods (TPs) with considerably high In content (In < 15 at.%) have been successfully synthesized by a mixed-source vapor phase transportation method (VPT). Powder X-ray diffraction (XRD) measurement of ZnO:In TPs revealed a single hexagonal phase, that indicates high structural quality of ZnO:In TPs. From room-temperature photoluminescence (PL) spectra, the Burstein-Moss (BM) shift was observed, which shows an increase of extrinsic carrier concentration. Also, we could observe field emission from ZnO:In TPs (8 at.%) with a threshold voltage (Eth) of 5.36 V/μm at a current density of 0.1 μA/cm2. These results show the feasibility of impurity doping for tailoring the physical properties of ZnO-based nanostructures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 9, Issue 2, Supplement, March 2009, Pages e169-e172
Journal: Current Applied Physics - Volume 9, Issue 2, Supplement, March 2009, Pages e169-e172
نویسندگان
M.N. Jung, S.H. Ha, S.J. Oh, J.E. Koo, Y.R. Cho, H.C. Lee, S.T. Lee, T.-I. Jeon, H. Makino, J.H. Chang,