کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1789317 | 1023502 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The donor bound exciton states in wurtzite GaN quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Based on the effective mass approximation, the donor bound exciton states in a wurtzite (WZ) GaN/AlGaN quantum dot (QD) are investigated by means of a variational method, including the strong built-in electric field effect due to the spontaneous and piezoelectric polarizations. Numerical results show that the donor bound exciton binding energy is highly dependent on the impurity position and QD size. In particular, we find that the donor bound exciton binding energy is insensitive to dot height when the impurity is located at the right boundary of the WZ GaN/AlGaN QD with large dot height.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 9, Issue 1, January 2009, Pages 39–43
Journal: Current Applied Physics - Volume 9, Issue 1, January 2009, Pages 39–43
نویسندگان
Yaming Liu, Congxin Xia, Shuyi Wei,