کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1804128 | 1524901 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Degradation of magnetic tunneling junctions caused by pinhole formation and growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A theory is developed to describe the pinhole formation and growth in magnetic tunneling junctions (MTJs) using the Kolmogorov–Avrami (KA) model. The theory relates the pinhole dynamics and the gradual degradation of the imperfect barrier layers and then the magnetic junctions under external stress. Form this study, analytical expressions of junction resistance and magnetoresistive (MR) ratio as functions of time are provided to characterize the junction degradation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 319, Issues 1–2, December 2007, Pages 60–63
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 319, Issues 1–2, December 2007, Pages 60–63
نویسندگان
Haiwen Xi, Scott Franzen, Javier I. Guzman, Sining Mao,