کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1805388 | 1024682 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Large second-harmonic kerr rotation in GaFeO3 thin films on YSZ buffered silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Large second-harmonic kerr rotation in GaFeO3 thin films on YSZ buffered silicon Large second-harmonic kerr rotation in GaFeO3 thin films on YSZ buffered silicon](/preview/png/1805388.png)
چکیده انگلیسی
Epitaxial thin films of gallium iron oxide (GaFeO3) are grown on (0 0 1) silicon by pulsed laser deposition (PLD) using yttrium-stabilized zirconia (YSZ) buffer layer. The crystalline template buffer layer is in situ PLD grown through the step of high-temperature stripping of the intrinsic silicon surface oxide. The X-ray diffraction pattern shows c-axis orientation of YSZ and b-axis orientation of GaFeO3 on Si (1 0 0) substrate. The ferromagnetic transition temperature (TC∼215K) is in good agreement with the bulk data. The films show a large nonlinear second harmonic Kerr rotation of ∼15° in the ferromagnetic state.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 299, Issue 2, April 2006, Pages 307–311
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 299, Issue 2, April 2006, Pages 307–311
نویسندگان
Darshan C. Kundaliya, S.B. Ogale, S. Dhar, K.F. McDonald, E. Knoesel, T. Osedach, S.E. Lofland, S.R. Shinde, T. Venkatesan,