کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
180746 | 459388 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrochemically superfilling of n-type ZnO nanorod arrays with p-type CuSCN semiconductor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The primary problem for constructing three-dimensional (3D) heterojunctions lies in poor pore filling and interface contact quality. An electrochemical superfilling technique is developed to construct well-organized heterojunctions based on a bottom-up filling mechanism. Morphology observation shows that ZnO nanorod arrays are completely filled with CuSCN and intimate interface contact is formed between ZnO and CuSCN. Electrical test confirms that as-fabricated 3D heterojunction has high diode current density and high rectification ratio of 154. This superfilling technique has promising applications in other 3D heterojunctions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochemistry Communications - Volume 11, Issue 9, September 2009, Pages 1736–1739
Journal: Electrochemistry Communications - Volume 11, Issue 9, September 2009, Pages 1736–1739
نویسندگان
Weibing Wu, Shougang Cui, Changhong Yang, Guangda Hu, Haitao Wu,