کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1823263 | 1526419 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Geant4 simulation of transition radiation detector based on DEPFET silicon pixel matrices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Geant4 simulation of transition radiation detector based on DEPFET silicon pixel matrices Geant4 simulation of transition radiation detector based on DEPFET silicon pixel matrices](/preview/png/1823263.png)
چکیده انگلیسی
This paper presents new developments in Monte Carlo simulation for test beam measurements of a silicon transition radiation detector based on DEPFET—a silicon active pixel detector. The test of DEPFET with fiber radiator has been carried out at the DESY 5 GeV electron beam. Monte Carlo simulation of the test beam setup is based on Geant4. A comparison of Geant4 simulation with test beam data is presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 706, 1 April 2013, Pages 73–78
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 706, 1 April 2013, Pages 73–78
نویسندگان
Sergey Furletov, Julia Furletova,