کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1825636 | 1027366 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Radiation tolerance of CMOS monolithic active pixel sensors with self-biased pixels
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
CMOS monolithic active pixel sensors (MAPS) are proposed as a technology for various vertex detectors in nuclear and particle physics. We discuss the mechanisms of ionizing radiation damage on MAPS hosting the dead time free, so-called self bias pixel. Moreover, we introduce radiation hardened sensor designs which allow operating detectors after exposing them to irradiation doses above 1Â Mrad.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 624, Issue 2, 11 December 2010, Pages 428-431
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 624, Issue 2, 11 December 2010, Pages 428-431
نویسندگان
M. Deveaux, S. Amar-Youcef, A. Besson, G. Claus, C. Colledani, M. Dorokhov, C. Dritsa, W. Dulinski, I. Fröhlich, M. Goffe, D. Grandjean, S. Heini, A. Himmi, C. Hu, K. Jaaskelainen, C. Müntz, A. Shabetai, J. Stroth, M. Winter,