کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1826332 | 1027379 | 2010 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation and experimental study of plasma effects in planar silicon sensors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In silicon sensors high densities of electron-hole pairs result in a change of the current pulse shape and spatial distribution of the collected charge compared to the situation in presence of low charge carrier densities. This paper presents a detailed comparison of numerical simulations with time resolved current measurements on planar silicon sensors using 660 nm laser light to create different densities of electron hole pairs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 624, Issue 3, 21 December 2010, Pages 716–727
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 624, Issue 3, 21 December 2010, Pages 716–727
نویسندگان
Julian Becker, Klaus Gärtner, Robert Klanner, Rainer Richter,