کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1830038 | 1027471 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Monolithic integration of detectors and transistors on high-resistivity silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the most recent results from an R&D activity aimed at the development of silicon radiation detectors with embedded front-end electronics. The key features of the fabrication technology and the available active devices are described. Selected results from the characterization of transistors and test structures are presented and discussed, and the considered application fields are addressed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 579, Issue 2, 1 September 2007, Pages 658–663
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 579, Issue 2, 1 September 2007, Pages 658–663
نویسندگان
Gian-Franco Dalla Betta, Giovanni Batignani, Maurizio Boscardin, Luciano Bosisio, Paolo Gregori, Lucio Pancheri, Claudio Piemonte, Lodovico Ratti, Giovanni Verzellesi, Nicola Zorzi,