کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1830044 | 1027471 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
3D-vertical integration of sensors and electronics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Technologies are being developed which enable the vertical integration of sensors and electronics as well as multilayer electronic circuits. New thinning and wafer bonding techniques and the formation of small vias between resulting thin layers of electronics enable the design of dense integrated sensor/readout structures. We discuss candidate technologies based on SOI and bulk CMOS. A prototype 3D chip developed at Fermilab that incorporates three tiers of 0.18μm CMOS is described.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 579, Issue 2, 1 September 2007, Pages 690-694
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 579, Issue 2, 1 September 2007, Pages 690-694
نویسندگان
R. Lipton,