کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1831384 | 1027495 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
R&D of a pixel sensor based on 0.15μm fully depleted SOI technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Development of a monolithic pixel detector based on SOI (silicon on insulator) technology was started at KEK in 2005. The substrate of the SOI wafer is used as a radiation sensor. At end of 2005, we submitted several test-structure group (TEG) chips for the 150 nm, fully depleted CMOS process. The TEG designs and preliminary results are presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 582, Issue 3, 1 December 2007, Pages 861–865
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 582, Issue 3, 1 December 2007, Pages 861–865
نویسندگان
Toru Tsuboyama, Yasuo Arai, Koichi Fukuda, Kazuhiko Hara, Hirokazu Hayashi, Masashi Hazumi, Jiro Ida, Hirokazu Ikeda, Yoichi Ikegami, Hirokazu Ishino, Takeo Kawasaki, Takashi Kohriki, Hirotaka Komatsubara, Elena Martin, Hideki Miyake, Ai Mochizuki,