کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1833382 | 1027544 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
How to achieve highest charge collection efficiency in heavily irradiated position-sensitive silicon detector
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: How to achieve highest charge collection efficiency in heavily irradiated position-sensitive silicon detector How to achieve highest charge collection efficiency in heavily irradiated position-sensitive silicon detector](/preview/png/1833382.png)
چکیده انگلیسی
Simulation was used to study the dependence of geometry on induced charge in heavily irradiated position-sensitive silicon detectors. Impact of pixel/strip pitch, implant width, thickness and electric field profile on collected charge was discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 560, Issue 1, 1 May 2006, Pages 98–102
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 560, Issue 1, 1 May 2006, Pages 98–102
نویسندگان
G. Kramberger, D. Contarato,