کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1859050 | 1530558 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Using carbon quantum dots to improve the resistive switching behavior of ZnO nanorods device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Using carbon quantum dots to improve the resistive switching behavior of ZnO nanorods device Using carbon quantum dots to improve the resistive switching behavior of ZnO nanorods device](/preview/png/1859050.png)
چکیده انگلیسی
An electronic bistable device with a composite structure was fabricated using tapered ZnO nanorod arrays (ZnO NRs) coated with carbon quantum-dots (C QDs). With the addition of C QDs, the ON/OFF resistance ratio is 6Ã102, over 100 times higher than that of device with pristine ZnO NRs. The effect of C QDs on the resistive switching behavior was investigated by current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characterization. The conduction mechanisms of the devices were discussed using space charge limited current (SCLC) model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 380, Issues 1â2, 8 January 2016, Pages 262-266
Journal: Physics Letters A - Volume 380, Issues 1â2, 8 January 2016, Pages 262-266
نویسندگان
Xueliang Wang, Jianping Xu, Shaobo Shi, Xiaosong Zhang, Xuguang Zhang, Xin Shi, Shubin Li, Linlin Li, Xiaojuan Liu, Lan Li,