کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1869805 | 1039395 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Position dependent optical effect on the transport properties of S-Sm-S junctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have experimentally investigated the optical effect on the transport properties of superconductor-semiconductorsuperconductor (S-Sm-S) junctions composed of a two-dimensional electron gas in a GaAs/AlGaAs heterostructure and NbN superconducting electrodes. Illumination at λ800nm onto the whole junction area increases Andreev reflection (AR) probability at S-Sm interfaces. To explore this origin, we performed scanning photovoltage measurements by using an optical microscope. The obtained image plots of the photovoltage show that the illumination brings about the photovoltage at the S-Sm interfaces. This result implies that the illumination modulates the barrier height between S and Sm, which results in a modulation of AR probability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Procedia - Volume 3, Issue 2, 31 January 2010, Pages 1177-1181
Journal: Physics Procedia - Volume 3, Issue 2, 31 January 2010, Pages 1177-1181
نویسندگان
K. Tsumura, S. Nomura, T. Akazaki, H. Takayanagi,