کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
410945 | 679172 | 2011 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Probabilistic neural computing with advanced nanoscale MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
هوش مصنوعی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The use of intrinsic nanoscale MOSFET noise for probabilistic computation is explored, using the continuous restricted Boltzmann machine (CRBM), a probabilistic neural model, as the exemplar architecture. The CRBM is modified by localising noise in its synaptic multipliers, exploiting random telegraph signal (RTS) noise in nanoscale MOSFETs. A look-up table (LUT) technique is adopted to link temporal noise data to the synaptic multipliers of a CRBM, trained to model simple, non-trivial data distributions. It is shown that, for such distributions at least, the CRBM with intrinsic nanoscale MOSFET noise can be trained to provide a useful model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Neurocomputing - Volume 74, Issue 6, 15 February 2011, Pages 930–940
Journal: Neurocomputing - Volume 74, Issue 6, 15 February 2011, Pages 930–940
نویسندگان
Nor Hisham Hamid, Tong Boon Tang, Alan F. Murray,