کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
449708 1443241 2007 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparison of three different architectures for active resistive memories
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر شبکه های کامپیوتری و ارتباطات
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Comparison of three different architectures for active resistive memories
چکیده انگلیسی

Resistive memory (RRAM) is one of the strong emerging technologies in modern memory field. This type of memories has the potential to be the replacement of several current memory types. As any new technology, RRAM brings new challenges concerning technology and design. This work discusses some aspects concerning the design of active resistive memories and compares three possible memory architectures.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: AEU - International Journal of Electronics and Communications - Volume 61, Issue 5, 2 May 2007, Pages 345–352
نویسندگان
, , ,