کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
449708 | 1443241 | 2007 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparison of three different architectures for active resistive memories
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
شبکه های کامپیوتری و ارتباطات
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Resistive memory (RRAM) is one of the strong emerging technologies in modern memory field. This type of memories has the potential to be the replacement of several current memory types. As any new technology, RRAM brings new challenges concerning technology and design. This work discusses some aspects concerning the design of active resistive memories and compares three possible memory architectures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: AEU - International Journal of Electronics and Communications - Volume 61, Issue 5, 2 May 2007, Pages 345–352
Journal: AEU - International Journal of Electronics and Communications - Volume 61, Issue 5, 2 May 2007, Pages 345–352
نویسندگان
Jakob Mustafa, Andreas Rüdiger, Rainer Waser,