کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4612669 | 1338701 | 2009 | 30 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Weak solutions to isothermal hydrodynamic model for semiconductor devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
ریاضیات
آنالیز ریاضی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, the Cauchy problem of the isothermal hydrodynamic model for semiconductor devices is investigated. The existence of global weak entropy solutions with large initial data is obtained by using a modified fractional step Lax–Friedrichs scheme and the theory of compensated compactness. As a byproduct, the existence of entropy solutions to the Cauchy problem of the isentropic hydrodynamic model for a semiconductor with infinite mass is also proved.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Differential Equations - Volume 247, Issue 11, 1 December 2009, Pages 3070-3099
Journal: Journal of Differential Equations - Volume 247, Issue 11, 1 December 2009, Pages 3070-3099