کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4765058 | 1423854 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Data ArticleElectrical circuit model of ITO/AZO/Ge photodetector
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Data ArticleElectrical circuit model of ITO/AZO/Ge photodetector Data ArticleElectrical circuit model of ITO/AZO/Ge photodetector](/preview/png/4765058.png)
چکیده انگلیسی
In this data article, ITO/AZO/Ge photodetector was investigated for electrical circuit model. Due to the double (ITO and AZO) transparent metal-oxide films (DOI:10.1016/j.mssp.2016.03.007) (Yun et al., 2016) [1], the Ge heterojunction device has a better interface quality due to the AZO layer with a low electrical resistance due to the ITO layer (Yun et al., 2015) [2]. The electrical and interfacial benefitted ITO/AZO/Ge heterojunction shows the quality Schottky junction. In order to investigate the device, the ITO/AZO/Ge heterojunction was analyzed by R-C circuit model using the impedance spectroscopy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Data in Brief - Volume 14, October 2017, Pages 62-67
Journal: Data in Brief - Volume 14, October 2017, Pages 62-67
نویسندگان
Malkeshkumar Patel, Joondong Kim,