کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4766520 | 1423985 | 2016 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tantalum nitride nanotube photoanodes: Establishing a beneficial back-contact by lift-off and transfer to titanium nitride layer
ترجمه فارسی عنوان
عکس نانولوله های نیترید تانتالیوم: ایجاد یک تماس برگشتی مفید با بلند کردن و انتقال به لایه نیترید تیتانیوم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نیترید تانتالیم، غشای نانو لوله، نیترید تیتانیوم، تقسیم آب،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
In this work we introduce the use of TiN/Ti2N layers as a back contact for Ta3N5 membranes of lifted-off anodic Ta3N5 nanotubular layers. In photoelectrochemical H2 generation experiments under simulated AM 1.5G light, a shift in the onset potential of anodic photocurrents to lower potentials is observed, as well as a higher magnitude of the photocurrents compared to a conventional Ta3N5 nanotubular layer (Ta3N5/Ta, ~Â 0.5Â VRHE). We ascribe this beneficial effect to the improved conductive properties of the TiNx-based back contact layer that enables a facilitated electron transport from the tantalum nitride based materials to the conductive substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochemistry Communications - Volume 72, November 2016, Pages 27-31
Journal: Electrochemistry Communications - Volume 72, November 2016, Pages 27-31
نویسندگان
Lei Wang, Anca Mazare, Imgon Hwang, Patrik Schmuki,