کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971443 | 1450523 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel vertical SCR for ESD protection in 40Â V HV bipolar process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A vertical Silicon Controlled Rectifier (VSCR) realized in a high-voltage (HV) 40Â V bipolar process is proposed for electrostatic discharge (ESD) protection applications. In addition, a new method is proposed to alter the layout of the emitter regions of the parasitic vertical PNP (VPNP) bipolar transistor in the VSCR to optimize the trigger voltage and the area of the VSCR. The transmission line pulsing (TLP) measurement results show that the VSCR possesses enhanced ESD robustness compared to the conventional vertical PNP (VPNP) bipolar transistor. The new VSCR can adjust trigger voltage, holding voltage and failure current with changing the number of emitter regions. Compare to VPNP bipolar transistor, the VSCR is more suitable for 40Â V bipolar process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 78, November 2017, Pages 307-310
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 78, November 2017, Pages 307-310
نویسندگان
Fan Liu, Zhiwei Liu, Jizhi Liu, Hui Cheng, Liu Zhao, Rui Tian, Shiyu Song, Juin J. Liou,