کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971464 | 1450529 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single event effects sensitivity of low energy proton in Xilinx Zynq-7010 system-on chip
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Single event effects sensitivity of low energy proton in Xilinx Zynq-7010 system-on chip Single event effects sensitivity of low energy proton in Xilinx Zynq-7010 system-on chip](/preview/png/4971464.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, experimental methods are emphatically described for measuring the proton single event effects (SEE) in Xilinx Zynq-7010 system-on chip. Experimental data are presented showing that low energy (3 MeV â¤Â Energy â¤Â 10 MeV) proton irradiation can cause single event effects in different hardware blocks of Xilinx Zynq-7010 SoC, including D-Cache, programmable logic (PL), arithmetic logical unit (ALU), float point unit (FPU) and direct memory access (DMA). Moreover, the sensitivities of different hardware blocks to single event effects are different. Finally, the Stopping and Range of Ions in Matter (SRIM) software calculations show the possible reasons for this difference.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 71, April 2017, Pages 65-70
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 71, April 2017, Pages 65-70
نویسندگان
Xuecheng Du, Shuhuan Liu, Dongyang Luo, Yao Zhang, Xiaozhi Du, Chaohui He, Xiaotang Ren, Weitao Yang, Yuan Yuan,