کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4971483 1450527 2017 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal impedance measurement of integrated inductors on bulk silicon substrate
ترجمه فارسی عنوان
اندازه گیری امپدانس حرارتی سدیم های یکپارچه بر روی بستر سیلیکون فله
کلمات کلیدی
امپدانس حرارتی، توابع ساختاری، القایی اسپیرال، ترموگرافی، مدیریت حرارت،
ترجمه چکیده
در این مقاله نتایج اندازه گیری حرارتی گذرا یک سیم پیچ در یک تراشه سیلیکونی ارائه شده است. بر اساس این اندازه گیری ها و با استفاده از روش های عددی، امپدانس حرارتی، توزیع ثابت زمان و توابع ساختاری بدست آمد. سپس، با استفاده از مدل های فیزیکی ساده پدیده انتقال حرارت، 3 زمان ثابت اصلی دستگاه تحت آزمون محاسبه شد، در مقایسه با نتایج اندازه گیری و فیزیکی توضیح داده شد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش مقاله
اندازه گیری امپدانس حرارتی سدیم های یکپارچه بر روی بستر سیلیکون فله
چکیده انگلیسی
The article presents the results of transient thermal measurements of a coil integrated in a silicon chip. Based on those measurements and using numerical procedures, thermal impedance, time constant distribution and structure functions were obtained. Next, using simple physical models of heat transfer phenomena, the 3 major time constants of the device under test were calculated, compared with measurement results and explained physically.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 73, June 2017, Pages 54-59
نویسندگان
, , , , ,