کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971501 | 1450530 | 2017 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanism of gate dielectric degradation by hydrogen migration from the cathode interface
ترجمه فارسی عنوان
مکانیزم تخریب دی الکتریک دروازه توسط مایع هیدروژن از رابط کاتد
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Hydrogen migration in a SiO2/Si system is examined in detail by nuclear reaction analysis. Electrical reliability measurements reveal a correlation between hydrogen migration from the cathode interface to the SiO2/Si interface and dynamic degradation of the gate dielectric. In addition, the defect levels generated in the bulk of SiO2 have an energy distribution corresponding to that of oxygen vacancies, as revealed by comparing the measured and simulated stress-induced leakage current. Finally, a model of hydrogen-induced gate dielectric degradation is proposed based on first-principles calculations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 70, March 2017, Pages 12-21
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 70, March 2017, Pages 12-21
نویسندگان
Yusuke Higashi, Riichiro Takaishi, Koichi Kato, Masamichi Suzuki, Yasushi Nakasaki, Mitsuhiro Tomita, Yuichiro Mitani, Masuaki Matsumoto, Shohei Ogura, Katsuyuki Fukutani, Kikuo Yamabe,