کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971590 | 1450524 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Static and dynamic hot carrier accelerated TDDB: Influencing factors and impact on product lifetime
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we show the full picture of hot carrier accelerated TDDB from static single transistor tests to AC stress and finally, to real product assessments. The different influencing factors like voltage, temperature and Vth are shown to be similar for all stress types. Moreover, an AC frequency dependency - that can be explained by the considerable lifetime of hot carriers - results in a further reduction of the breakdown time. The field relevance is assessed by long term (4000Â h) HTOL product tests.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 149-153
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 149-153
نویسندگان
Rainer Duschl, Armin H. Fischer, Achim Gratz, Robert Wiesner,