کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971602 | 1450524 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determination of doping type by calibrated capacitance scanning microwave microscopy
ترجمه فارسی عنوان
تعیین نوع دوپینگ از طریق میکروسکوپ میکروویو اسکن کالیبره شده
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
The investigation of dopant distribution in discrete and highly integrated electronic devices is the main application of Scanning Microwave Microscopy in the semiconductor industry. To reliably determine the dopant type and the relation between differently doped areas within an electronic device, a calibration method based on the estimated complex impedance is introduced. The validation on differently doped silicon demonstrates that the method is able to simultaneously acquire accumulation and depletion capacitances. This enables the calculation of a 2D dopant type profile and furthermore provides a monotonic dependence of the measured capacitance on dopant density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 218-221
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 218-221
نویسندگان
S. Hommel, N. Killat, A. Altes, T. Schweinboeck, F. Kreupl,