کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971612 | 1450524 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A survey of SiC power MOSFETs short-circuit robustness and failure mode analysis
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The aim of this paper is to provide an extensive overview about the state-of-art commercially available SiC power MOSFET, focusing on their short-circuit ruggedness. A detailed literature investigation has been carried out, in order to collect and understand the latest research contribution within this topic and create a survey of the present scenario of SiC MOSFETs reliability evaluation and failure mode analysis, pointing out the evolution and improvements as well as the future challenges in this promising device technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 272-276
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 272-276
نویسندگان
L. Ceccarelli, P.D. Reigosa, F. Iannuzzo, F. Blaabjerg,