| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 4971632 | 1450524 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Protective nanometer films for reliable Cu-Cu connections
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی کامپیوتر
													سخت افزارها و معماری
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												As an indicator of degradation, the oxidation of the Cu surface was used. It could be shown that a C layer provides a much better protective effect than a Pt layer. Besides very local sporadically distributed Cu oxide grains, a gradual degradation of the protective carbon film was not even observable at the nanoscale for a stress temperature of 200 °C and layer thicknesses down to 3 nm. In contrast, with a 10 nm thick Pt film the Cu surface exhibits already at a stress temperature of 150 °C locally grown Cu oxide grains. The introduced carbon coating passivation of Cu surfaces has the potential of being a key technique for a reliable Cu-Cu wire bonding.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 383-389
											Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 76â77, September 2017, Pages 383-389
نویسندگان
												Tobias Berthold, Guenther Benstetter, Werner Frammelsberger, Manuel Bogner, Rosana RodrÃguez, Montserrat NafrÃa,